两家公司都有共同的GaN和GaAs产品代工厂合作伙伴,并瞄准类似的应用和细分市场。Guerrilla RF将继承各种已发布和抽样产品,包括简单的、无与伦比的晶体管,以完全集成的不对称Doherty PA。这些产品的额定峰值功率水平从5W到400W不等,与Guerrilla RF现有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器产品组合相辅相成,这些产品适用于2W及以下的功率水平。通过整合这些资产,该公司打算显著加强其正在进行的开发和商业化专为无线基础设施、军事和卫星通信应用而定制的新型GaN器件的努力。